hilpers


  hilpers > comp.os.* > comp.os.mac-os.x

 #1  
26/06/2008, 11h59
Benoit
Bonjour,


Je sais que si on veut que son disque dur n'est plus aucune trace
des documents qu'il contenait, ou que l'on souhaite effacer de façon
radicale un document, il faut réécrire plusieurs fois dessus et avec des
données aléatoires.

Ça c'est pour les disques et je comprends le pourquoi du comment.

<http://www.cultofmac.com/iphone-v20-...data-wipe/2160
>

Maintenant Apple annonce que la version 2.0 de l'OS de l'iPhone
saura faire de même. Mais il n'y a pas un DD mais de la RAM. Un
effacement sécurisé pourrai prendre une heure ! Pour moi, si je supprime
les pointeurs en mémoire et que je remplace les données par des 0 ou des
1 (sans parler d'aléatoire) il n'y a plus rien de récupérable. Pourquoi
il va falloir repasser plusieurs fois en mémoire vive comme on le fait
sur DD ?
 #2  
26/06/2008, 12h01
SbM
Benoit <jenaipasdemail> wrote:

> Mais il n'y a pas un DD mais de la RAM.


De la mémoire flash, pas de la RAM. Qui conserve donc ses données.
 #3  
26/06/2008, 12h09
Eric Levenez
Le 26/06/08 12:59, dans
<1ij57ph.afz56q1grzd7lN%jenaipasdemail>, « Benoit »
<jenaipasdemail> a écrit :

> Je sais que si on veut que son disque dur n'est plus aucune trace
> des documents qu'il contenait, ou que l'on souhaite effacer de façon
> radicale un document, il faut réécrire plusieurs fois dessus et avec des
> données aléatoires.
>
> Ça c'est pour les disques et je comprends le pourquoi du comment.
>
> <[..]
>>

> Maintenant Apple annonce que la version 2.0 de l'OS de l'iPhone
> saura faire de même. Mais il n'y a pas un DD mais de la RAM. Un
> effacement sécurisé pourrai prendre une heure !


Pour la NAND je ne sais pas mais pour de la NOR, l'effacement et l'écriture
d'une flash prend très longtemps. Par exemple pour une flash de 128 Mo (que
j'utilise au boulot), l'ordre d'effacement envoyé au circuit met 5 minutes à
s'exécuter (mise à 1 de tous les bits). Si on veut de plus écrire des
données aléatoire, l'écriture de ces mêmes 128 Mo met 20 minutes. Je te
laisse calculé pour 8 ou 16 Go... La NAND qu'utilise Apple a des temps
différents mais je ne sais plus dans quel sens.

> Pour moi, si je supprime
> les pointeurs en mémoire et que je remplace les données par des 0 ou des
> 1 (sans parler d'aléatoire) il n'y a plus rien de récupérable. Pourquoi
> il va falloir repasser plusieurs fois en mémoire vive comme on le fait
> sur DD ?


Où vois-tu que cela soit fait plusieurs fois ? Est-ce une info d'Apple ou
d'un site de rumeur ?
 #4  
26/06/2008, 20h57
Benoit
Eric Levenez <usenet> wrote:

> Pour la NAND je ne sais pas mais pour de la NOR, l'effacement et l'écriture
> d'une flash prend très longtemps. Par exemple pour une flash de 128 Mo (que
> j'utilise au boulot), l'ordre d'effacement envoyé au circuit met 5 minutes à
> s'exécuter (mise à 1 de tous les bits). Si on veut de plus écrire des
> données aléatoire, l'écriture de ces mêmes 128 Mo met 20 minutes. Je te
> laisse calculé pour 8 ou 16 Go... La NAND qu'utilise Apple a des temps
> différents mais je ne sais plus dans quel sens.
>> Où vois-tu que cela soit fait plusieurs fois ? Est-ce une info d'Apple ou

> d'un site de rumeur ?


:

« Unlike today's iPhone software the revised function will wipe data
in similar fashion to the "Secure Empty Trash" function of Mac OS
X, by which all data is deleted, unlinked, and then overwritten
several times to make it irretrievable by even the savviest of
recovery tools. »


Maintenant je comprends que de la flash ou équivalente soit lente en
écriture mais je ne vois pas pourquoi on doit réécrire plusieurs fois
pour être sûr d'effacer. Tout du moins sur ce type de stockage d'info.
 #5  
26/06/2008, 21h05
André Sintzoff
Eric Levenez <usenet> wrote:

> Pour la NAND je ne sais pas mais pour de la NOR, l'effacement et l'écriture
> d'une flash prend très longtemps. Par exemple pour une flash de 128 Mo (que
> j'utilise au boulot), l'ordre d'effacement envoyé au circuit met 5 minutes à
> s'exécuter (mise à 1 de tous les bits). Si on veut de plus écrire des
> données aléatoire, l'écriture de ces mêmes 128 Mo met 20 minutes. Je te
> laisse calculé pour 8 ou 16 Go... La NAND qu'utilise Apple a des temps
> différents mais je ne sais plus dans quel sens.


La NAND est plus rapide parce que sinon je me demande combien de temps
prendrait une synchro iTunes sur un iPhone.

A+

André, dresseur de puces savantes
 #6  
26/06/2008, 21h14
Eric Levenez
Le 26/06/08 21:57, dans
<1ij5wrs.7loqodqx4qe7N%jenaipasdemail>, « Benoit »
<jenaipasdemail> a écrit :

> Eric Levenez <usenet> wrote:
>
>> Où vois-tu que cela soit fait plusieurs fois ? Est-ce une info d'Apple ou
>> d'un site de rumeur ?

>
> [..] :


C'est donc bien une information non officielle, une rumeur quoi.
 #7  
26/06/2008, 21h39
Eric Levenez
Le 26/06/08 22:05, dans <1ij5xa4.kmrrggv1cubnN%sintzoff>,
« André Sintzoff » <sintzoff> a écrit :

> La NAND est plus rapide parce que sinon je me demande combien de temps
> prendrait une synchro iTunes sur un iPhone.


Il faut voir qu'une flash est découpée en blocs, par exemple 64 ko. Les
systèmes de fichiers qui y écrivent sont intelligents et l'effacement d'un
bloc se fait en parallèle à l'écriture d'un autre, ce qui fait que souvent
l'écriture de nouvelles données à la place d'anciennes se fait sans trop de
perte de temps.

Je viens de regarder les différences de vitesse (grossières) entre les
flashs NOR et NAND. Les NAND (utilisées par Apple) sont plus rapides en
écriture (5 à 10 fois), plus lentes en lecture (5 à 10 fois) et beaucoup
plus rapide en effacement (100 fois ou plus).

Ce qui fait que pour une synchronisation totale des données d'un iPod ou
iPhone, il faut très longtemps pour tout remplir. Je n'ai pas chronométré,
mais une heure pour une synhro ne me semble pas aberrant. Ce qui fait que la
simple écriture de données aléatoires sur un iPhone (comme indiqué sur le
site de rumeurs) doit faire une heure, et cela sans faire plusieurs passes.
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